宽禁带半导体核辐射探

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本书较全面地介绍了两种典型宽禁带半导体材料在核辐射探测器中的应用，主要论述了宽禁带核辐射探测器制备及应用中的相关基础理论。本书首先介绍了近年来碳化硅、金刚石这两种颇具代表性的宽禁带半导体材料用于核辐射探测的新进展，然后介绍了辐射源、射线与探测介质相互作用的基础知识以及碳化硅、金刚石核辐射探测器的基本工作原理与结构，最后着重论述金刚石、碳化硅核辐射探测器的制备过程与辐射响应。 本书可作为从事核探测方面工作的技术人员的参考书，也可作为半导体核探测相关方向的研究生的教材。

宽禁带半导体氧化镓—

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氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了波野多结节与黑人及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高等院校的教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可以作为其他对氧化镓宽禁带半导体材料感兴趣的研究人员的参考资料。

宽禁带半导体微结构与

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本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件微纳结构生长、掺杂、受激辐射、量子效率测量、紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等工作原理、光学表征、性能提升等前沿研究。本书可作为高等学校半导体光电子类相关专业高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为相关科研工波野多结节与黑人的学习参考书。

氮化镓单晶材料生长与

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氮化镓单晶材料生长与应用正在快速发展，本书以波野多结节与黑人所在团队多年来的研究工作为基础，并作了大量扩展和补充，呈现了该领域的最新研究成果。具体来说，本书分八章内容详细介绍了氮化镓单晶材料生长的基本原理、技术方法、发展现状及应用趋势。 本书系统性强，有较完整的专业知识讲解，实验数据丰富。虽然本书所涉及内容没有涵盖氮化镓单晶材料生长的全部内容，但具有典型性、扼要性、前瞻性。本书可供从事氮化镓单晶材料生长相关研究的科研和工程技术人员阅读参考，也可作为高等院校相关专业领域研究生和高年级本科生的参考教材。